關(guān)于EMI傳導(dǎo)和輻射超標(biāo)對策，在沒有相關(guān)EMI測試設(shè)備的情況下，往往會讓工程師們格外的頭疼，有時候我們可能需要很長時間才能夠搞定這個問題。本文主要是針對EMI傳導(dǎo)輻射超標(biāo)問題進行實例分析，希望能夠結(jié)合理論與經(jīng)驗來有針對性的進行整改，來達到最終效果。
首先我們來了解一下散熱片、屏蔽層、Y電容的作用機理。以反激拓撲為例，我們先看看散熱片的作用，見下圖：
散熱片的作用
在圖中我們可以看到其中C1為MOS與散熱片的寄生電容，C2為散熱片與大地PE之間的寄生電容。散熱片懸空時，共模電流icm會通過C2流到大地，從而被LISN拾到，導(dǎo)致共模干擾增加。散熱片接地時，共模電流icm被短路到原邊干擾源的地，不經(jīng)過LISN，即降低了共模干擾。看看變壓器屏蔽層的作用，見下圖。
變壓器屏蔽層的作用
從上面的分析可以看出，其實散熱片、屏蔽、Y電容，對EMI的作用機理是一樣的，即都是為干擾信號提供一條低阻抗回路，讓干擾信號返回源端，讓其不從LISN經(jīng)過。
共模&差模路徑和簡化模型
以反激拓撲為例，同時由于副邊的dV/dt一般較小，這里省去了，突出主要部分。
差模的路徑和模型
從以上可以看出Cbus對EMI的影響，尤其是冷熱機的差異。電解的ESR隨著溫度的升高而降低，有利于干擾信號的流過，這也是一些案例熱機后EMI會變好的原因之一。
共模路徑和簡化模型
從以上的模型可以看出，不管是差模還是共模，EMI的本質(zhì)就是歐姆定律。無非就是串聯(lián)分壓和并聯(lián)分流，通過各種方法讓LISN少分壓、少分流而已。
